Bodó Zalán (Olasztelek, 1919. okt. 25. – Bp., 1990. ápr. 2.): mérnök, fizikus, tudományos kutató, a fizikai tudományok doktora (1957), Kossuth-díjas (1959). A bp.-i Szent István Reálgimn.-ban érettségizett 1938-ban. Utána 1938-1943 között a Bp.-i Műszaki Egy.-en tanult tovább, 1943-ban gépészmérnöki oklevelet szerzett. 1943-ban gyakornok a műszaki egy. villamos művek tanszékén, majd 1945-ig a Magy. Siemens Művek Gépgyárában próbatermi mérnökként dolgozott. 1945. okt.-től az Egyesült Izzólámpa és Villamossági Rt. kutató laboratóriumában dolgozott, amely 1950-ben a Távközlési Kutató Intézet III. sz. laboratóriuma, majd 1953-ban a Híradástechnikai Ipari Kutató Intézet Bródy Imre Laboratóriuma lett. Ennek a kutató laboratóriumnak volt a tudományos osztályvezetője. 1962-től 1966-ig a Bp.-i Műszaki Egy.-en tanszékvezető egy.-i tanár, 1966-tól az MTA Műszaki Fizikai Kutató Intézete tudományos tanácsadója volt. – 1947 óta a szilárd testek fizikájával foglalkozott, speciálisan a fluoreszkáló és félvezető anyagok tulajdonságainak vizsgálatával. 1953-ban új módszert dolgozott ki a fluoreszkáló porok kvantumhatásának mérésére. E mérések sok, gyakorlatilag és elméletileg fontos porok kvantumhatásfokáról adnak értékes felvilágosítást. Munkájáról, elért eredményeiről szakfolyóiratokban, nemzetközi konferenciákon számolt be. – 1951-ben az MTA tudományos ösztöndíjban és jutalomban részesítette, az Eötvös Loránd Fizikai Társulat a Bródy Imre-díjjal tüntette ki. Munkatársai közreműködésével négy bejelentett szabadalmat szerzett. Alapító tagja volt az Eötvös Loránd Fizikai Társulat félvezető fizikai szakcsoportjának. – F. m. A tranzisztorokban lejátszódó fizikai folyamatok (Bp., 1956); Félvezetők töltéshordozó és potenciáleloszlása. (Bp., 1957); On the distribution of carriers in semiconductor (Bp., 1960).- Irod. In memoriam B. Z. (Magy. Nemzet, 1990. ápr. 13.).